metalorganic chemical vapor deposition中文什么意思

發(fā)音:

用"metalorganic chemical vapor deposition"造句

金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法

chemical: adj. 化學(xué)的，化學(xué)作用的；應(yīng)用化學(xué)的，用化學(xué)方法獲得 ...
vapor: n. 〔美國〕＝ vapour.
deposition: n. 1.免職，罷免；廢位。 2.淤積[沉積](物，作用 ...
chemical vapor deposition: 化學(xué)電鍍; 化學(xué)氣相沉積; 化學(xué)氣相淀積; 化學(xué)汽相淀積; 化學(xué)蒸鍍; 化學(xué)蒸氣沉積法; 化學(xué)蒸汽淀積; 化學(xué)蒸著鍍
chemical vapor deposition (cvd): 化學(xué)汽相沉積; 化學(xué)汽相淀積

下載手機(jī)詞典可隨時隨地查詞查翻譯

例句與用法

更多例句：下一頁

To overcome the bottle - neck , electron cyclotron resonance - plasma enhanced metalorganic chemical vapor deposition was developed
為了解決這一問題，電子回旋共振ecr等離子體增強(qiáng)有機(jī)金屬氣相沉積( ecr - pemocvd )應(yīng)運(yùn)而生。
In this thesis , the zns , znse films and znse quantum dots ( qds ) have been obtained by metalorganic chemical vapor deposition ( mocvd )
本論文利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積( mocvd )系統(tǒng)控制生長條件制備了zns 、 znse薄膜和znse量子點(diǎn)。
Mg ions were implanted on mg - doped gan grown by metalorganic chemical vapor deposition . the p - type gan was achieved with high hole concentration 8 . 2810
應(yīng)用mg離子注入mocvd法生長摻雜mg的gan中，在經(jīng)過800 , 1h的退火后，獲得高空穴載流子濃度8 . 2810
At present the prevailing epitaxial growth techniques of gan are metalorganic chemical vapor deposition ( mocvd ) , molecule beam epitaxy ( mbe ) as well as hvpe
目前gan的外延生長技術(shù)一般采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相外延法( mocvd ) ，在藍(lán)寶石襯底的( 0001 )面上外延生長gan材料，另外還有分子束外延技術(shù)( mbe )及鹵化物汽相外延技術(shù)( hvpe )等。
Thin sin layers and nitride - based multiquantum well ( mqw ) light emitting diode ( led ) structures with conventional single gan buffer and gan / sin double buffers were grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition ( mocvd )
摘要以有機(jī)金屬化學(xué)氣象沉積在藍(lán)寶石基板上成長由單一氮化鎵成核層與氮化鎵/氮化矽雙緩沖層所形成的兩種不同氮基礎(chǔ)的多層量子井發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)。